XC3S1200E-4FTG256C概述
产品型号
XC3S1200E-4FTG256C描述IC FPGA 190 I/O 256FTBGA分类集成电路(IC)，嵌入式FPGA(现场可编程门阵列)生产厂家Xilinx公司系列Spartan®-3E部分状态活性电压-电源1.14V~1.26V
工作温度0°C~85°C(TJ)包/箱256-LBGA供应商设备包256-FTBGA(17x17)基础部件号XC3S1200E
XC3S1200E-4FTG256C参数
可编程逻辑类型 | 现场可编程门阵列 |
符合REACH标准 | 是 |
符合欧盟RoHS标准 | 是 |
符合中国RoHS标准 | 是 |
状态 | 活性 |
时钟频率-最大值 | 572.0 MHz |
CLB-Max的组合延迟 | 0.76 ns |
JESD-30代码 | S-PBGA-B256 |
JESD-609代码 | E1 |
总RAM位数 | 516096 |
CLB数量 | 2168.0 |
等效门数 | 1200000.0 |
输入数量 | 190.0 |
逻辑单元的数量 | 19512.0 |
输出数量 | 150.0 |
终端数量 | 256 |
工作温度-最小值 | 0℃ |
工作温度-最高 | 85℃ |
组织 | 2168 CLBS，120000 GATES |
峰值回流温度(℃) | 260 |
电源 | 1.2,1.2 / 3.3,2.5 |
资格状态 | 不合格 |
坐姿高度-最大 | 1.55毫米 |
子类别 | 现场可编程门阵列 |
电源电压 | 1.2 V |
电源电压-最小值 | 1.14 V |
电源电压-最大值 | 1.26 V |
安装类型 | 表面贴装 |
技术
| CMOS |
温度等级 | 其他 |
终端完成 | 锡/银/铜(Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
终端表格 | 球
|
终端间距 | 1.0毫米 |
终端位置 | 底部 |
时间@峰值回流温度-最大值
| 三十 |
长度 | 17.0毫米 |
宽度 | 17.0毫米 |
包装体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包裹代码 | LBGA |
包等价代码 | BGA256,16X16,40 |
包装形状 | 广场 |
包装风格 | 网格阵列，低调 |
制造商包装说明 | 17 X 17 MM，1.55 MM高度，1 MM间距，无铅，FTBGA-256 |
特性
无铅封装选择
高分辨率相移
快速预测进位逻辑
丰富，灵活的逻辑资源
频率合成，乘法，除法
时钟偏移消除(延迟锁定环)
低成本QFP和BGA封装选项
分层SelectRAM?内存架构
DDR SDRAM支持高达333 Mb/s
高效的宽多路复用器，宽逻辑
常见的足迹支持简单的密度迁移
经过验证的先进90纳米工艺技术
增强的双倍数据速率(DDR)支持
高达648 Kbits的快速Block RAM
高达231 Kbits的高效分布式RAM
最多八个数字时钟管理器(DCM)
宽频率范围(5 MHz至300 MHz以上)
符合行业标准的PROM的配置界面
x8或x8 / x16并行NOR Flash PROM
采用JTAG的低成本Xilinx®平台闪存
每个I / O 622+ Mb / s数据传输速率
多电压，多标准SelectIO?接口引脚
完整的XilinxISE®和WebPACK?软件
3.3V，2.5V，1.8V，1.5V和1.2V信号
增强型18 x 18乘法器，带可选流水线
IEEE 1149.1 / 1532 JTAG编程/调试端口
最多376个I / O引脚或156个差分信号对
低成本，节省空间的SPI串行Flash PROM
MicroBlaze?和PicoBlaze®嵌入式处理器内核
LVCMOS，LVTTL，HSTL和SSTL单端信号标准
真LVDS，RSDS，mini-LVDS，差分HSTL / SSTL差分I / O
完全兼容的32/64位33 MHz PCI支持(某些设备为66 MHz)
每半个器件有8个全局时钟和8个额外时钟，以及丰富的低偏移路由
极低成本，高性能的逻辑解决方案，适用于大批量，面向消费者的应用
密度高达33,192个逻辑单元，包括可选的移位寄存器或分布式RAM支持
