高分辨率相移

无铅封装选择

频率合成，乘法，除法

时钟偏移消除(延迟锁定环)

经过验证的先进90纳米工艺技术

多电压，多标准SelectIO?接口引脚

最多376个I / O引脚或156个差分信号对

LVCMOS，LVTTL，HSTL和SSTL单端信号标准

3.3V，2.5V，1.8V，1.5V和1.2V信号

每个I / O 622+ Mb / s数据传输速率

增强的双倍数据速率(DDR)支持

DDR SDRAM支持高达333 Mb / s

丰富，灵活的逻辑资源

高效的宽多路复用器，宽逻辑

快速预测进位逻辑

增强型18 x 18乘法器，带可选流水线

IEEE 1149.1 / 1532 JTAG编程/调试端口

分层SelectRAM?内存架构

高达648 Kbits的快速Block RAM

高达231 Kbits的高效分布式RAM

最多八个数字时钟管理器(DCM)

宽频率范围(5 MHz至300 MHz以上)

符合行业标准的PROM的配置界面

低成本，节省空间的SPI串行Flash PROM

x8或x8 / x16并行NOR Flash PROM

采用JTAG的低成本Xilinx®平台闪存

完整的XilinxISE®和WebPACK?软件

MicroBlaze?和PicoBlaze®嵌入式处理器内核

低成本QFP和BGA封装选项

常见的足迹支持简单的密度迁移

真LVDS，RSDS，mini-LVDS，差分HSTL / SSTL差分I /O

完全兼容的32/64位33 MHz PCI支持(某些设备为66 MHz)

每半个器件有8个全局时钟和8个额外时钟，以及丰富的低偏移路由

密度高达33,192个逻辑单元，包括可选的移位寄存器或分布式RAM支持

极低成本，高性能的逻辑解决方案，适用于大批量，面向消费者的应用