类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：220 毫欧 @ 910mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：4.1nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：150pF @ 25V
功率 - 最大：625mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*