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首页> IC百科 > ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

浏览次数：777次
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ZXMN10A08E6TA最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
ZXMN10A08E6TA
DIODES/美台
￥0.804

ZXMN10A08E6TA中文资料规格参数

ZXMN10A08E6TA概述

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleQuadDrain
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.25Ohms
汲极/源极击穿电压：100V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：1.9A
功率耗散：1.1W
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-23-6
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000

ZXMN10A08E6TA数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
Diodes Incorporated
PDF
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET100V N沟道增强型MOSFET
 PDF

ZXMN10A08E6TA推荐供应商

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正品现货！只有原装
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SOT23-6
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深圳市明启通电子有限公司
120624
DIODES/美台
24+
SOT23-6
原装现货/支持实单/可出样
深圳市新亚洲电子市场宏佳电子商行
30000
DIODES/美台
18+
SOT23-6
数量多请咨询，可开增值税发票
深圳市安亿电子有限公司
16200
DIODES/美台
1420+
SOT23-6
假一赔百DIODES原装正品无铅现货
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