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首页> 新品播报> 美国先进微器件（AMD）公司产品命名

美国先进微器件（AMD）公司产品命名

来源：－－ 作者：－－ 浏览：416

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摘要： AM 29L509 P C B AMD首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类 "L"：低功耗； D：铜焊双列直插 C：商用温度， 没有标志的 "S"：肖特基； （多层陶瓷）； （0-70）℃或 为标准加工 "LS"：低功耗肖特基； L：无引线芯片

 
 
AM
29L509
P
C
B
AMD首标
器件编号
封装形式
温度范围
分类
  "L"：低功耗； D：铜焊双列直插 C：商用温度， 没有标志的
  "S"：肖特基； （多层陶瓷）； （0-70）℃或 为标准加工
  "LS"：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体： （0-75）℃； 产品，标有
  21：MOS存储器； P：塑料双列直插； M：军用温度， "B"的为已
  25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）； （-55-125）℃； 老化产品。
  26：计算机接口； X：管芯； H：商用，  
  27：双极存储器或EPROM ； A：塑料球栅阵列； （0-110）℃；  
  28：MOS存储器理； B：塑料芯片载体 I：工业用，  
  29：双极微处理器； C、D：密封双列； （-40～85 ）℃；  
  54/74：同25； E：薄的小引线封装； N：工业用，  
  60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列； （-25～85）℃；  
  79：电信； Z、Y、U、K、H：塑料 K：特殊军用，  
  80：MOS微处理器； 四面引线扁平； （-30～125）℃；  
  81、82：MOS和双极处围电路； J：塑料芯片载体（PLCC）； L：限制军用，  
  90：MOS； L：陶瓷芯片载体（LCC）； （-55-85）℃＜  
  91：MOS RAM： V、M：薄的四面 125℃。  
  92：MOS； 引线扁平；    
  93：双极逻辑存储器 P、R：塑料双列；    
  94：MOS； S：塑料小引线封装；    
  95：MOS外围电路； W：晶片；    
  1004：ECL存储器； 也用别的厂家的符号：    
  104：ECL存储器； P：塑料双列；    
  PAL：可编程逻辑陈列； NS、N：塑料双列；    
  98：EEPROM； JS、J：密封双列；    
  99：CMOS存储器。 W：扁平；    
    R：陶瓷芯片载体；    
    A：陶瓷针栅陈列；    
    NG：塑料四面引线扁平；    
    Q、QS：陶瓷双列。

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