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电磁干扰滤波器多应用于电子产品的输出入端口,π型(π-model)低通滤波器架构中的Input端点及Output端点对GND的电容,一般会采用静电放电防护组件,以兼做静电放电防护之用。
随着电子产品集成度愈来愈高,所包含的功能愈来愈多,且售价愈来愈低,电子产品所遇到电磁干扰的问题自然也就更加严重。电子产品为实现重量轻、体积超薄、小巧的目标,以迎合消费者易于携带的需求,在电路板的设计上以高集成度为设计导向:采用相同功能、但体积或面积更小的组件,拿掉原本用作电磁干扰防护的金属屏蔽、改用更细的地线或更小块的地平面(ground plane)用作接地等。这些措施不仅能达到使产品外形轻巧的目的,更能节省许多产品开发的费用以及量产后的成本,但却极不利于电磁干扰问题的解决。
为有效解决电子产品电磁干扰的问题,并能兼顾静电放电(ESD)防护的功用,可以采用具有静电放电防护功能的电磁干扰滤波器(EMI+ESD filter)。图1所示即为常见的π型低通滤波器。在Input及Output端点之间的组件,可以是电阻或是电感组件。是采用电阻还是电感,应视产品的实际应用所需而定。
在静电放电防护方面,该系列产品中的瞬时电压抑制器具有极低的箝位电压(Vclamp)、抗静电防护效果更可高达1万7千伏特以上(IEC 61000-4-2, ctact mode ±17kV)。
在静电放电事件的高导通电流下,瞬时电压抑制器的箝位电压越低则越能适时地被导通,以使受保护电路免于遭受静电放电的侵害而永久受损失效。图3所示为利用传输线脉冲产生系统(TLP)所量得的箝位电压比较图。由图中可以清楚看到,晶焱科技应用于液晶的电磁干扰滤波器,在17安培的高静电放电电流下具有最低的箝位电压,可以非常有效地提供受保护电路一个快速有效的静电放电旁通路径。