;;; 像磁带录音机那ER1D(SF14)样可以自由地存储或擦掉，即可以随机存取的存储器，有动态RAM(DRAM)和静态RAM( SRAM)。;;; 现在256M位DRAM正在成为主流以代替64M位，而且把集成度提高到几吉位以上也是可能的，以适应大容量化，但每隔一定周期必须进行保持存储操作。
;;; 图2.48是DRAM的结构和等效电路。写入时，将FET保持导通状态，这期间从位线加对应于“1”或“0”信息的低或高的电压，形成在电容C上积聚电荷或不积聚电荷的状态。读出时，再使FET导通，通过位线读出在C上有电荷或没有电荷。;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;; ;;; SRAM具有读出写入简单、速度高的优点，但其缺点是耗电大、集成度比不上DRAM。
;;;;像录音机那样一次完成存储后，存储内容一直不消失，也就是专用于存储内容的读出。大多数人使用将游戏程序存储在ROM中的电视游戏机，只要一接通电源，马上就可以玩游戏。
;;; ROM有一次写入信息、不能擦除的和可以写入、擦除、重写入的。把可以重写的ROM称为EPROM(erasable programmable ROM)。
;;; EPROM由称为MNOS结构（图2.49）的FET和普通的MOS型FET串联而构成的。在囹2.49中，当门极加上较大的负电压脉冲时，FET的阈值电压向负方向变化。将这个状态作为“1”，以这个动作作为写入。与此相反，当门极加上正电压脉冲时，阈值电压向正方向变化，约为OV。把这个状态作为“O”，以这个动作作为擦去。这样一来，可以重复写入、擦去动作。;;;;;;;;;;;;;;