;;; 如图5.6所示，这是与输出级使TEA1521P用双极晶体管的功率放大器完全相同的偏置电路（当然也必须使输出级的MOSFET与偏置电路的晶体管Tri热耦合）。但是，这个电路中MOSFET的VG。的温度变化是由晶体管VBE的温度变化补偿的，所以是不怎么准确的温度补偿。
;;; 这个电路的工作是由如下的循环过程进行控制的。
;;; ①输出级温度上升；
;;; ②Tri的温度网样也上升，VBE变小（晶体管的VBE随温度上升而减小，温度系数约为-2.5mV／℃）；
;;; ③MOSFET的栅极一栅极间电压VB减小；
;;; ④由于MOSFET的VGS变小，所以漏极电流减小；
;;; ⑤器件的温度下降。;;;;;;;;;;;