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选择源极跟随器用的FET

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:1140

标签:

摘要: ;;; 先讨论输出级使用的MOSFET的选择条件。;;; 整流电路的输出就是源极跟随器部分LM3S2965-IQC50-A2的电源电压,即±19.5VPEAK。当输出电压达到正负峰值时,Trz、Tr3的漏极一源极间所加的电压是正电源与负电源之间的电压。这就是说Tr2、Tr3的漏极一源极间所加的电压有可能达到39V。;;; 由于给8Q负载(扬声器)输出10W时电路的输出电流是1.4A。eak,所以T

;;; 先讨论输出级使用的MOSFET的选择条件。
;;; 整流电路的输出就是源极跟随器部分LM3S2965-IQC50-A2的电源电压,即±19.5VPEAK。当输出电压达到正负峰值时,Trz、Tr3的漏极一源极间所加的电压是正电源与负电源之间的电压。这就是说Tr2、Tr3的漏极一源极间所加的电压有可能达到39V。
;;; 由于给8Q负载(扬声器)输出10W时电路的输出电流是1.4A。eak,所以Tr2、Tr3的漏极电流最大可能达到1.4A。
;;; 再考虑器件的功率损耗。为了减小输出级源极跟随器的功率损耗,设定电路工作在B类状态。
;;; 一般来说,B类工作状态的推挽射极跟随器中单管功率损耗PD的最大值是电路最大输出功率的1/5(详见参考文献[7])。由于最大输出功率是10W,所以PD=2W。
;;; 因此,对于输出级MOSFET的Tr2 Tr3必须使用绝对最大额定值漏极一源极间电压V DS在39V以上,漏极电流在1.6A以上,功率损耗PD在2W以上的器件。这里就手头所有,选用低频功率放大用互补对2SJ200,2SK1529。表5.1、表5.2分别列出它们的特性。;;;;;;;;;;;;;;;
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67