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氯化氢及二氯乙烯(Cz HCI3)氯化

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:481

标签:

摘要: ;;; 干氧中加入少量HC1,HC1与Oz克分子比(6~8)%为佳,因为:;;; ①高温下Clz与Na+反应可LMC555CM生成挥发性化合物随尾氧排出。;;; ②在Si-Si02界面处,Cl易集中,Cl与S102中固定电荷可形成Si-O-Cl络合物,Na+会被络合物中的Cl中性化。;;; ③试验:标准Si02时AVFB≈6.4V;6%HC1、Sioz时△VFB≈O. 2V。;;; Al203钝化

;;; 干氧中加入少量HC1,HC1与Oz克分子比(6~8)%为佳,因为:
;;; ①高温下Clz与Na+反应可LMC555CM生成挥发性化合物随尾氧排出。
;;; ②在Si-Si02界面处,Cl易集中,Cl与S102中固定电荷可形成Si-O-Cl络合物,Na+会被络合物中的Cl中性化。
;;; ③试验:标准Si02时AVFB≈6.4V;6%HC1、Sioz时△VFB≈O. 2V。
;;; Al203钝化
;;; Al2 03钝化对Na+有阻挡作用、可辐射性强,主要体现在:
;;; ①负电荷效应。Al2 03-Si02界面偶极子电位差△VD,它可使平带电压为正值,故易于制作增强型NMOSFET。
;;; ②生长Al2 03工艺。溅射法(RF、DC)、阳极氧化(电介、等离子体)、辉光放电、CVD(水介法、热分解法、有机铝化合物氧化法)。;;; 氮化硅(S13 N4)钝化
;;; 氮化硅(Si3 N4)钝化的好处有:
;;; ①对Na+有阻挡作用,抗辐射能力强。
;;; ②优化结构:Si-S102 -S13 N4、S102:(100 N1000)A、Si3 N4:(1500~3000)A、>3000A:龟裂。
;;; ③Si- Si3 N4界面陷阱密度高,故要用优化结构
;;; ④Si。N4难腐蚀,故通常用S102保护,在热磷酸中腐蚀
;;; S13 N4沉积技术
;;; Si3 N4沉积技术的方法:
;;; ①直接氮化:3S1+2Nz,3S1+4NH3
;;; ②热分解或CVD:SiCl4+NH3,S1F4 +NH3
;;; ③溅射:RF:3S1+N2(反应溅射),S13 N4(非反应溅射);DC:同上
;;; ④辉光放电:RF,DC,S1H4+NH3,SiH4 +N2
;;; ⑤蒸发试验。采用下列方法进行蒸发试验能取得较好效果:
;;; ·用Si3 N4钝化二极管,其失效率降低8倍。
;;; ·用Si3 N4钝化ECL电路,现场失效率可降到3×10-8/}1以下(比S102低5倍)。
;;; ·用Si3 N4钝化COMSIC,在85℃,相对湿度85%,2000h,25支IC无一失效。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67