;;; 正偏二次击穿主要是热电AP503TR-G1反馈效应，局部电流集中，产生热斑；反偏二次击穿主要是电流模式或雪崩注入模式。
;;; 在具有感性负载开关电路中：“1”状态，即基区及集电区存储大量少子（饱和态）。“0”状态，基极反偏，抽取作用，发射极电流夹紧效应，电流高度集中会造成基区扩散效应（Kirk效应），集电极势垒区电场峰值点会移至nn+衬底处。
;;; 当V DS增大到漏结雪崩击穿电压时，漏极pn+结发生一次雪崩击穿，其中倍增电子由漏极流出，空穴注入衬底，产生压降达到源一衬底PN结正向电压时(>0.7V)，源结导通，使I再一次猛增，即产生二次击穿特性。沟道愈短，愈易产生二次击穿。
;;; VDMOSFET衬底串联电阻R。s比平面MOSFET更大，故更易发生二次击穿。此外，它具有很大的漏一衬底面积，其电容Cd。大。在高压开关电路应用中，dV璐较大，通过Cdb产生衬底交流电流一旦大于源一衬底n+p结正向压降时，就可引起二次击穿，为克服此类二次击穿，应尽量减小。
;;; 在截止状态开始瞬间，L上的自感电动势将叠加在VCE上，很易使器件进入雪崩二次击穿状态，其临界电压为VSB，
;;;;;;;;;;;;;;; V SB = Ecr Wc;;; 式中，ECR为雪崩临界击穿电场(硅：1×los V／crIi)，自感电压为L(dIL/dt)，当VCC+L(d,ILldt)大于BVCEO时，就发生反偏二次击穿；Wc为沟道宽度。
;;; 提高器件抗反偏二次击穿的办法：
;;; ①采用二层外延结构，第一层掺杂浓度应高于第二层，第二层的W。及Nd应由器件高频参数要求进行优化。
;;; ②在器件芯片中设计钳位二极管，以保护反偏尖峰不致损伤器件。