;;; ①掺氧多晶硅。S1H4-N2 0-N2反FQPF13N50C皮系统650℃，5000A／min，晶粒：200～300A，半绝缘，无固定电荷。
;;; ②三层钝化结构。采用三层钝化结构可阻止Na+到达硅表面，也可阻止水离子到达硅表面。Si02作用：阻止掺N2多晶硅膜在高压工作区内发生介质击穿。
;;; 玻璃钝化（高耐压器件）
;;; ①熔凝玻璃。熔凝玻璃网络结构比S102致密，阻止Na+移动调配成分可获负电荷的钝化层，可获几十到几百微米厚耐压高，膨胀系数可控制接近Si02。
;;; ②主要成分有铅系：Pb0、B2 0。、Si02；锌系：Zn0、B2 03、Si02。加入少量Ce02、Ta2 0s、Sb3 03（锌系）、Al2 03（铅系）。
;;; ③对于高压功率管，芯片作成台面或斜面结构，必须用n+pLm厚钝化层，故只有玻璃钝化膜才能达到此厚度。
;;; 10)聚酰亚胺(PI)钝化
;;; 聚酰亚胺(PI)钝化的优点是：
;;; ①耐高温、电绝缘性好、成膜工艺简单、成本低、热稳定性好、致密性好、针孔密度少、固化温度低。
;;; ②抗Na+沾污能力强，有负电荷效应（1011 cm-2），可有效抑制Si0。中的正电荷(Na+)。
;;; ③可阻挡Na+渗透，与Al粘附力强。
;;; ④可辐射能力强。
;;; ⑤热膨胀系数小，台阶覆盖好，膜内应力小。
;;; ⑥可涂一层光刻胶进行曝光、显影，可用于多层布线。
;;; ⑦PI与Si3 N4组合钝化，效果更佳。
;;; ⑧PI还用于塑料器件的保护涂料及光电器件的抗反射薄膜。
;;; ⑨PI与Si、S102粘附力较差，要加入偶联剂，以增强粘附力。