日前，赛普拉斯半导体公司（cypress）推出2mbit和8mbit非易失性静态随机存取存储器（nvsram），进一步丰富了公司旗下从16kbit到8mbit的nvsram产品系列。该新型产品的存取时间短至20纳秒，支持无限次的读写与调用循环，而且数据能保存20年之久。nvsram为需要持续高速写入数据和绝对非易失性数据安全的应用提供了最佳解决方案，因此成为了服务器、raid应用、恶劣环境下的工业控制、汽车、医疗以及数据通信等领域的理想选择。

　　cy14b1022mbitnvsram与cy14b1088mbitnvsram均符合rohs指令，可直接取代sram、电池供电的sram、eprom及eeprom器件，毋需安装电池就能确保可靠的非易失性数据存储。断电时，数据可自动从sram传输到nvsram器件的非易失性存储单元。通电时，数据则能从非易失性存储器恢复到sram中。上述两种操作都能通过软件控制实现。新型nvsram采用赛普拉斯的s8™0.13微米硅氧化氮氧化硅(sonos)嵌入式非易失性存储器工艺制造而成，具有更高的密度、更短的存取时间以及高出色的性能。

　　2mbit和8mbit的nvsram支持实时时钟特性，既能实现业界最低的待机振荡器电流，又能确保集成存储器的最高性能，从而在非易失性存储器的支持下可实现事件时间戳功能。

　　nvsram是业界最佳的高速非易失性存储器解决方案，相对于电池供电的sram而言，其板级空间更少、设计复杂性更低，而且比磁性随机存储器(mram)或铁电存储器(fram)更加经济可靠。2mbit和8mbit的nvsram是赛普拉斯nvsram产品系列中的最新成员，该系列旗下目前已实现量产的其它产品还包括16kbit、64kbit、256kbit、1mbit和4mbit的器件。

　　作为sonos工艺技术的领先公司，赛普拉斯将在新一代psoc®混合信号阵列、ovationons™激光导航传感器、可编程时钟及其它产品中采用s8技术。sonos与标准cmos工艺高度兼容且具有高耐用性、低功耗和抗辐射加固等众多优势。此外，sonos相对于其它嵌入式非易失性存储器技术而言，也是一款更稳健、更易于制造、更低成本的解决方案。

　　赛普拉斯的2mbit和8mbit的nvsram目前已提供样品，预计将于2008年第三季度开始投产。上述产品可采用48引脚fbga封装以及44引脚和54引脚的tsopii封装。此类非易失性sram是根据赛普拉斯公司此前与西姆泰克公司（simtekcorporation）签订的协作产品开发协议而共同开发的器件系列中的第二批产品。