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RL=lOOQ时A、B、C点的电位

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:425

标签:

摘要: ;;; 顺便指出,照片11.7是把负载1SV314电阻RL改变为100\Q,时(负载电流为50mA)A、B、C点的波形。可以看出,为了增大负载电流大必须积蓄更多的电感能量,所以C点的占空比增大到接近50%。因此从这个电路的开关控制方式来说,与其说是图11.5(b)的方式还不如说更接近图11.5(a)的方式。改变占空比的方式是一种更高级的方式,似乎更受关注。;;;;;;;;;;;;;;;; 照片11

;;; 顺便指出,照片11.7是把负载1SV314电阻RL改变为100\Q,时(负载电流为50mA)A、B、C点的波形。可以看出,为了增大负载电流大必须积蓄更多的电感能量,所以C点的占空比增大到接近50%。因此从这个电路的开关控制方式来说,与其说是图11.5(b)的方式还不如说更接近图11.5(a)的方式。改变占空比的方式是一种更高级的方式,似乎更受关注。;;;;;;;;;;;
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;;; 照片11.8是C点和Tri的漏极D点的波形。当C点处于H电平(=3V)时Tr.导通,所以D点是OV。接着,由于C点从H电平变为L电平时Tri截止,所以电感积蓄的能量放出,D点的电位上升到5.4V。由于Di的正向电压降约为0.4V.所以这时的输出电压是5V。在照片11.8的D点还看到了衰减振荡的波形。这是因为从漏极看到的Tri的电容与Li构成振荡电路,当Di截止后残存在Li中的电流在这个振荡电路中作衰减振荡的缘故(由于Li含有电阻成分,所以振荡徐徐衰减)。;;;;;;;;;;;;;;
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67