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DRAM的基本信号

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:1290

标签:

摘要: dram从最初时期的产品至今所利用的信号类型如图所示。dram的主导产品已经逐步移向与时钟同步的同步dram及direct rambus dram(直接总线式dram),所以我们所说明的这种类型的dram将逐渐变得稀少,我们只将基本的信号举例说明一下。 图 dram的基本类型  1. 地址(a0~an)  这是赋予dram的地址,由于dram是利用后面将要说明的ras及cas信号分2次赋予地址的,

dram从最初时期的产品至今所利用的信号类型如图所示。dram的主导产品已经逐步移向与时钟同步的同步dram及direct rambus dram(直接总线式dram),所以我们所说明的这种类型的dram将逐渐变得稀少,我们只将基本的信号举例说明一下。 图 dram的基本类型  1. 地址(a0~an)

  这是赋予dram的地址,由于dram是利用后面将要说明的ras及cas信号分2次赋予地址的,所以所拥有的地址引脚数为寻址所需要的数目的一半左右。例如,1m×1位的dram,其地址需要⒛位,但它分2次、每次赋予10位的地址。由于容量较大的dram并不一定每次都给予一半的地址,因此也存在实际引脚数目超过寻址所需要的半数的器件。

  2. ras(行地址选通)

  当指定dram单元时,根据行地址与列地址选择所访问的单元。在ras的下降(由高电平向低电平的变化时刻)过程中,地址引脚作为行地址锁存于dram内部。

  3. cas(列地址选选通)

  行地址之后,如果cas有效,则dram将地址引脚的状态作为列地址提取到内部。根据列地址,其中一个列选择开关被选择而处于on状态,公用数据线上出现数据。

  像这样利用行地址与列地址指定所访问单元的方法是dram基本的访问方法。

  4. we(写使能)

  这是指定是读数据还是写数据的信号,进行写操作时,we有效。

  5. oe(输出使能)

  启动dram的数据输出缓存,当we无效时,dram内部在读模式下运行,但如果de无效,则数据引脚(dq0~dqn)不能被驱动,保持高阻抗的状态。

  6. dq0~dqn(数据)

  这是数据输入输出引脚,可双向使用。  欢迎转载,信息来源维库电子市场网()

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
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