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摘要: 它可以在不降低性能的前提下,安全吸收高达30A闪电引起的浪涌电流(tp=8/20μs ),并能按照IEC61000-4-2国际标准承受最低±30kV的静电放电事件。这些器件每个I/O对地电容(典型)仅有8pF,有助于保持信号的完整性,防止数据在传输过程中的损失。 特性 ●强劲的浪涌保护:雷击,按照IEC61000-4-5标准,为30A (8/20μs);脉冲峰值功率,6
它可以在不降低性能的前提下,安全吸收高达30A闪电引起的浪涌电流(tp=8/20μs ),并能按照IEC61000-4-2国际标准承受最低±30kV的静电放电事件。这些器件每个I/O对地电容(典型)仅有8pF,有助于保持信号的完整性,防止数据在传输过程中的损失。
特性
●强劲的浪涌保护:雷击,按照IEC61000-4-5标准,为30A (8/20μs);脉冲峰值功率,600W (8/20μs)
●仅有0.8Ω低动态电阻(RDYN)
●I/O对地仅有8pF (典型)的低电容
●增强的ESD能力:按照IEC61000-4-2标准,接触ESD ,±30kV;空气ESD,±30kV
优势
●比市场上类似的解决方案高出20%的功率和浪涌处理能力;为按行业标准定义的电气威胁提供更多的设计裕量
●为当今敏感的芯片组提供优化的箝位电压,保护其免于灾难性故障,最大限度地提高系统可靠性
●电容比市场同类解决方案低20%,有助于保持信号完整性,最大限度地减少了传输过程中的数据丢失
●增强的ESD保护,远超过IEC61000-4-2标准要求的最高水平(±8kV)
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |