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摘要: ADCMP580/ADCMP581/ADCMP582超快速硅锗电压比较器电路的基本特性: ADCMP580/ADCMP581/ADCMP582足在模拟器件硅锗(SiGe)双极工艺上制造的超快速电压比较器。ADCMP580特有CML输出驱动器,ADCMP581特有减小摆幅的ECL(负极ECL)输出驱动器,ADCMP582特有减小摆幅的ECL(正极ECL)输出驱动器。 1) 传播延迟为180ps;
ADCMP580/ADCMP581/ADCMP582超快速硅锗电压比较器电路的基本特性:
ADCMP580/ADCMP581/ADCMP582足在模拟器件硅锗(SiGe)双极工艺上制造的超快速电压比较器。ADCMP580特有CML输出驱动器,ADCMP581特有减小摆幅的ECL(负极ECL)输出驱动器,ADCMP582特有减小摆幅的ECL(正极ECL)输出驱动器。
1) 传播延迟为180ps;
2) 过驱动和转换率散射为25ps;
3) 差分锁存控制;
4) 电源电压抑制比>70dB;
5) 最小脉冲带宽为100ps;
6) 等效输入上升时间带宽为8CHz;
7) 输出上升/下降时间为37ps(典型值);
8) 确定性抖动(DJ)为lOps;
9) 随机抖动(RJ)为200fs;
10)输入电压范围-2—3V(在±5V电源下);
11)片上终端在输入引脚上;
12)可编程滞回。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |