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[传感器之家]霍尔传感器原理

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:275

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霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁电传感器,由于半导体比金属有高得多的霍尔系数,故用半导体制成的霍尔传感器具有对磁场敏感度高、结构简单、使用方便等特点。不仅用于测量电流、电压、功率和磁感应强度等电磁参数,在非电量测量技术中还广泛用于测量直线位移、角位移与压力等非电量。在一个半导体薄片(霍尔元件)相对两侧面通以控制电流I,在薄片垂直方向加以磁场B,则由于洛伦兹力作用在载流片两端,产生一个与控制电流I和磁场强度B乘积成正比的电动势 ,称为霍尔电动势,即                        式中 是灵敏度。设霍尔元件的厚度为d,单位体积内的自由电子数为n,电子的电量为e,电子的运动速度方向与磁感应强度方向间的夹角为α,则可求得                        式中 称为霍尔系数。当α=90°时,                               霍尔传感器是一种很好的检测控制元件,当控制电流不变时,霍尔输出的电压与磁场大小成正比,可用来测定传感器周围的磁场。当磁场强度固定时,则可测量霍尔片的电流、电压等电参。利用霍尔电动势来控制电流与磁场大小的乘积则可制成各种运算器。对非电量测量则是通过改变霍尔片在磁场中的位置来改变参量α,从而改变输出霍尔电动势来测量位移、压力、加速度等。

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型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67