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关于晶体管、场效应管逆向使用问题(一)

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:562

标签:

摘要: 关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中,基极(B)被偏置为正,集电极(C)被偏置为负,由发射极(E)流向C的时逆电流。 1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的。2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。 也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。 3. 逆向晶体管有如下特点。(1) hFE低。

关于晶体管ON时的逆向电流

在NPN晶体管中,基极(B)被偏置为正,集电极(C)被偏置为负,由发射极(E)流向C的时逆电流。

 

  


1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的。

2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。 也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。

即电流由E→C流动。

 

 

3. 逆向晶体管有如下特点。
(1) hFE低。(顺向10%以下)
(2)耐压低。(7 to 8V 与VEBO一样低)←通用TR的情况,除此之外,还有5V以下

(突破此耐压范围,会发生hFE低下等特性的劣化,请注意。)
(3)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化。

 



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