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光耦技巧 三种对MOS驱动电流计算的方法

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:3000

标签:

摘要: 在驱动的电路中,针对MOS管的驱动电流是需要特别进行估算的。当然估算的方式不止一种,一般常用的估算方式有3种方式,本文就将对这三种估算方式进行介绍。并对每种估算方式进行讲解,感兴趣的朋友快来看一看吧。 公式估算法 可以使用如下公式对MOS管的驱动电流进行估算: Ig=Qg/Ton 其中:Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on):MOS导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%,开始到VD

在驱动的电路中,针对MOS管的驱动电流是需要特别进行估算的。当然估算的方式不止一种,一般常用的估算方式有3种方式,本文就将对这三种估算方式进行介绍。并对每种估算方式进行讲解,感兴趣的朋友快来看一看吧。 公式估算法 可以使用如下公式对MOS管的驱动电流进行估算: Ig=Qg/Ton 其中:Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on):MOS导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%,开始到VDS下降到其幅值90%的时间。 Tr:上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。 Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod(可在datasheet中找到)。 公式估算法的变形 密勒效应时间(开关时间)Ton/off=Qgd/Ig; Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg; Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67