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基础分享 HCNR200光耦合器典型电路分析

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:1738

标签:

摘要: 在昨天的文章中,我们结合光耦合器HCNR200的基本结构,为大家简要分析了一下这种线性光耦的工作原理。作为一种比较常见的线性光耦合器,HCNR200在很多电路的设计中都得到了应用,因此,今天我们将会结合这一线性光耦的实际电路应用情况,来分析一下该种型号的光耦在实际应用过程中的工作运行情况。下图所示为用HCNR200实现一个简单隔离放大器的基本应用电路。 HCNR200光耦合器应用电路图 通过对

在昨天的文章中,我们结合光耦合器HCNR200的基本结构,为大家简要分析了一下这种线性光耦的工作原理。作为一种比较常见的线性光耦合器,HCNR200在很多电路的设计中都得到了应用,因此,今天我们将会结合这一线性光耦的实际电路应用情况,来分析一下该种型号的光耦在实际应用过程中的工作运行情况。下图所示为用HCNR200实现一个简单隔离放大器的基本应用电路。 HCNR200光耦合器应用电路图
HCNR200光耦合器应用电路图 通过对上图所提供的HCNR200线性光耦合器应用电路进行分析,我们可以看到,在该种隔离放大器的应用电路中,运算放大器Al构成负反馈放大电路,PDl接在A1的输入端,完成对LED输出光信号的检测,并自动调整通过LED的电流,以补偿LED光强随温度变化引起的非线性,因此该反馈放大器主要用于稳定LED的光输出并使其线性化。运算放大器A2构成电流电压转换电路A2和及R2将IPD2转换为电压输出。电阻R3为LED的限流电阻,C1、C2为起反馈作用,用于改善电路的高频特性,提高电路的稳定性,消除自激振荡,滤除电路中的毛刺信号,降低电路的输出噪声,其容值可根据电路的频率特性来选取。设IED两端的电压为VLED,A1输出端电压为Vo1,根据运放“虚短”和“虚断”特性,可以得出公式: 2 由上文中所提供的公式我们可以看到,IPD1仅仅决定于Vin以及R1的值,与LED的输出光强特性无关。该隔离放大器电路的Vout与Vin也成线性关系,也与LED的输出光强无关。由于K3约等于1,所以只需通过调整R1和R2的比值,即可改变此隔离放大器的传输增益。 以上就是本文针对常见的线性光耦合器HCNR200在隔离放大器电路中的应用情况,所进行的简要分析。希望通过本文的介绍,帮助各位新人工程师更加了解这一线性光耦的工作状态,以便于更有效的完成电路设计工作。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67