让找料更便捷
电子元器件
采购信息平台
生意随身带
随时随地找货
一站式电子元器件
采购平台
半导体行业观察第一站
标签:
摘要: 在双向型的DC-DC变换器运行工作过程中,功率开关元件IGBT是变换器内部的主要损耗源之一,而功率开关元件的损耗基本上可以按照其运行状态分为两个部分:导通损耗和开关损耗。导通损耗是指当开关元件已经开通后,并且驱动和开关波形已经稳定以后,功率开关元件处于导通状态时的损耗。本文将会针对双向DC-DC转换器的功率开关元件IGBT的损耗计算,进行简要分析介绍。 在正常运行的过程中,功率元件的开关损耗是出现

导通损耗过高很容易造成转换器的有效功率降低,对整体系统的运行稳定也会有一定的影响。想要降低导通损耗,最典型方法是使IGBT导通期间的电压降最小。要达到这个目的,必须使功率开关工作在饱和状态。因此,可以通过对IGBT基极的过电流驱动,从而确保功率器件工作在饱和状态。 在了解了导通损耗的计算方法后,接下来我们再来看一下开关损耗的计算方式。IGBT的开关损耗计算过程,相比较导通损耗来说就比较复杂了。这一部分的损耗既有功率器件本身的因素,也有相关元器件的影响。功率开关元件的开关损耗的计算,一方面可以通过示波器观察得到开关过程中的电压、电流波形,然后粗略的计算出两条曲线所包围的面积,从而求得IGBT的开关损耗。另一方面,如果功率开关元件的使用手册中给出了开关损耗的曲线,那么也可以直接从开关损耗的曲线上读出开通损耗和关断损耗的数值,然后根据下式计算得出功率开关元件的开关损耗值,式中fsw为变换器的开关频率: 上一篇:编码不能没调试 调试不能没断点
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |