IGBT是绝缘栅双极型晶体管是八十年代初诞生，并且在九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。因此，IGBT的新技术、新工艺不断有新的突破；应用频率硬开关5KHz～40KHz，软开关40KHz～150KHz；功率从五千瓦到几百千瓦的应用场合。IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机、高频超声波、逆变器、斩波器、UPS/EPS、感应加热)提供了新的商机。为了使初次使用者正确用好IGBT模块，最大限度地发挥IGBT模块的作用，以下是最基本的使用说明。 （一）依据装置负载的工作电压和额定电流以及使用频率，选择合适规格的模块。 用户使用模块前请详细阅读模块参数数据表，了解模块的各项技术指标；根据模块各项技术参数确定使用方案，计算通态损耗和开关损耗，选择相匹配的散热器及驱动电路。 （二）IGBT模块的使用 1.防止静电 IGBT是静电敏感器件，为了防止器件受静电危害，应注意以下两点： ①IGBT模块驱动端子上的黑色海绵是防静电材料，用户用接插件引线时取下防静电材料立即插上引线；在无防静电措施时，不要用手触摸驱动端子。 ②驱动端子需要焊接时，设备或电烙铁一定要接地。 2.选择和使用 ①请在产品的最大额定值(电压、电流、温度等)范围内使用，一旦超出最大额定值，可能损坏产品，特别是IGBT外加超出VCES的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏，请务必在VCES的额定值范围内使用!工作使用频率愈高，工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑安全系数。如果使用前需要测试请务必使用适当的测试设备，以免测试损坏(特别是IGBT和FRED模块需要专业的测试设备，请勿使用非专业的设备测试其电压的最大值)。 ②驱动电路：由于IGBT Vce(sat)和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅极电压选为+VG=14～15V，-VG=5～10V，要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求; 栅极电阻Rg与IGBT的开通和关断特性密切相关，减小Rg值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅极电阻Rg值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间最佳折衷(与频率有关)选择合适的Rg值，一般选为5Ω至100Ω之间。为防止栅极开路，建议靠近栅极与发射极间并联20K～30KΩ电阻。驱动布线要尽量短且采用双绞线；在电源合闸时请先投入驱动控制部分的电源，使其驱动电路工作后再投入主电路电源。 ③保护电路：IGBT模块使用在高频时布线电感容易产生尖峰电压，必须注意减少布线电感和元件的配置，应注意以下保护项目：过电流保护、过电压保护、栅极过压及欠压保护、安全工作区、过温保护。 ④吸收电路： 由于IGBT开关速度快，容易产生浪涌电压，必须设有浪涌钳位电路。 ⑤并联使用： 应考虑栅极电路、线路布线、电流不平衡和器件之间的温度不平衡等问题。 ⑥使用时请避开产生腐蚀气体和严重尘埃的场所。