最近在网上看到很多人都在讨论Flyback的次级侧的RC尖峰吸收问题，觉得大家在处理此类尖峰问题上仍过于传统，其实此处用RCD吸收会比用RC吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到电压)，而且吸收损耗也更小。

图 整流二极管电压波形(RC吸收)

图 整流二极管电压波形(RCD吸收) 从这两张仿真图看来，其吸收效果相当，如不考虑开通时高压降，可以认为吸收已经完全。 此处的RCD吸收设计，可以这样认为：为了吸收振荡尖峰，C应该有足够的容值，已便在吸收尖峰能量后，电容上的电压不会太高，为了平衡电容上的能量，电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的参数搭配，是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时电容C端电压刚好等于Uin/N+Uo)，因为漏感尖峰能量有很多不确定因素，计算法很难凑效，所以下面介绍一种实验方法来设计。 1.选一个大些的电容(如100nF)做电容C，D选取一个够耐压 1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢复二极管(如1N4148; 2.可以选一个较小的电阻10K，1W电阻做吸收的R; 3.逐渐加大负载，并观察电容C端电压与整流管尖峰电压; 如C上电压纹波大于平均值的20%，需加大C值; 如满载时，C端电压高于Uin/N+Uo太多(20%以上，根据整流管耐压而定)，说明吸收太弱，需减小电阻R; 如满载时，C上电压低于或等于Uin/N+Uo，说明吸收太强，需加大电阻R; 如满载时C上电压略高于Uin/N+Uo(5%~10%，根据整流管耐压而定)，可视为设计参数合理; 在不同输入电压下，再验证参数是否合理，最终选取合适的参数。