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摘要: 有源元件温度系数对总误差的影响 AD8606运算放大器和AD7091R ADC的直流失调由校准程序消除。 ADC AD7091R内置基准电压源的失调漂移典型值为4.5 ppm/ C,最大值为25 ppm/ C. AD8606运算放大器的失调漂移典型值为1 V/ C,最大值为4.5 V/ C. U1A AD8606输入导致的误差以2.3 V输出范围为基准,因而为2 ppm/ C.U1B基准电压缓冲器
有源元件温度系数对总误差的影响
AD8606运算放大器和AD7091R ADC的直流失调由校准程序消除。
ADC AD7091R内置基准电压源的失调漂移典型值为4.5 ppm/ C,最大值为25 ppm/ C.
AD8606运算放大器的失调漂移典型值为1 V/ C,最大值为4.5 V/ C.
U1A AD8606输入导致的误差以2.3 V输出范围为基准,因而为2 ppm/ C.U1B基准电压缓冲器导致的误差以2.5 V为基准,同样约为2 ppm/ C.
总漂移误差结如表1所概括。这些误差不包括AD7091R的 1 LSB积分非线性误差。
请注意,如果采用50 ppm/ C或100 ppm/ C电阻,则总漂移的最大来源是电阻漂移,有源元件产生的漂移可忽略。
现在,可通过下式计算与任何输出代码Code_x对应的输入电压:
图3.室温校准前后的电路测试误差
PCB布局考虑
在任何注重精度的电路中,必须仔细考虑电路板上的电源和接地回路布局。PCB应尽可能隔离数字部分和模拟部分。该系统的PCB采用简单的双层板堆叠而成,但采用4层板可以得到更好的EMS性能。有关布局和接地的信息,请参见MT-031指南;有关去耦技术的信息,请参见MT-101指南。AD8606的电源应当用10 F和0.1 F电容去耦,以适当抑制噪声并减小纹波。这些电容应尽可能靠近相应器件,0.1 F电容应具有低ESR值。对于所有高频去耦,建议使用陶瓷电容。电源走线应尽可能宽,以提供低阻抗路径,并减小电源线路上的毛刺效应。
ADuM5401 isoPower集成式DC/DC转换器要求在输入和输出电源引脚上进行电源旁路。请注意,引脚1与引脚2以及引脚15和引脚16之间需要低ESR旁路电容,这些电容应尽可能靠近芯片焊盘。为了抑制噪声并降低纹波,至少需要并联两个电容。针对VDD1和VISO,推荐的电容值是0.1 F和10 F.较小的电容必须具有低ESR,建议使用陶瓷电容。低ESR电容末端到输入电源引脚的走线总长不得超过2 mm.如果旁路电容的走线长度超过2 mm,可能会破坏数据。考虑在引脚1与引脚8及引脚9与引脚16之间实现旁路,除非两个公共地引脚靠近封装连在一起。
高电压能力
这款PCB依据2500 V基本绝缘规范而设计。不建议进行2500 V以上的高电压测试。在高电压下使用该评估板时必须谨慎,而且不得依赖该PCB来实现安全功能,因为它未经过高电位测试(也称为高压测试或耐压绝缘测试),也未通过安全认证。
常见变化
经验证,采用图中所示的元件值,该电路能够稳定地工作,并具有良好的精度。可在该配置中采用其他精密运算放大器和其他ADC,以将 10V输入电压范围转换成数字输出,用于本电路的各种其他应用中。
可依据 电路设计 部分的等式,针对 10 V输入电压范围以外进行设计,如图1所示。表2显示针对某些标准电压范围计算电阻。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |