让找料更便捷
电子元器件
采购信息平台
生意随身带
随时随地找货
一站式电子元器件
采购平台
半导体行业观察第一站
标签:
摘要: 高耐压、高容值的电容器一般通过电解电容或者薄膜电容来实现,其体积一般较大。尽管经过多年的发展,高耐压、高容量的电容器的小型化进展还是十分有限。当前取得的进展主要在高耐压方面,但是很难同时兼顾高容量;或者是达到高容量但是电压一般小于50V.为了同时获取高耐压和高容量,业界常见的做法是依据DSCC 87106/88011和MIL-PRF-49470的规范将多个陶瓷电容器叠加在一起,这种做法占据空间较大
高耐压、高容值的电容器一般通过电解电容或者薄膜电容来实现,其体积一般较大。尽管经过多年的发展,高耐压、高容量的电容器的小型化进展还是十分有限。当前取得的进展主要在高耐压方面,但是很难同时兼顾高容量;或者是达到高容量但是电压一般小于50V.
为了同时获取高耐压和高容量,业界常见的做法是依据DSCC 87106/88011和MIL-PRF-49470的规范将多个陶瓷电容器叠加在一起,这种做法占据空间较大且较重,并且价格昂贵。因此,业内一直存在着对更轻、更小的高耐压、高容量的电容器的需求。
过往技术局限
失效模式决定了设计上的局限,而多种失效模式的存在也限制了中、高耐压电容器的容值提升。有些失效模式是外在的,如机械应力或热应力导致的断裂,但同时我们也需要深入探讨内在失效模式,这在制造商的管控范围之内。
多层陶瓷电容器在设计上的限制因素,随时代的不同而发生着变化。早期多层陶瓷电容器面临的主要限制因素,是电介质材料本身的点缺陷和杂质,这些因素影响了材料的质量和纯度,如图1,从而限制了电容器内部层数的上限和每层厚度的最小值。
随着电介质材料本身质量的提高和操作流程的改进,限制因素转变为电介质材料本身的强度,而该因素一旦得到了解决,我们本可以预期制造出更大更厚的电容器,而不必担心产生介质击穿或点失效,如图2.
可是一种新的失效模式出现了,我们称之为压电应力断裂,通常指压电效应或者电致伸缩现象,如图3所示。这种失效模式迄今为止仍是多层陶瓷电容制造所面临的限制因素。它影响大多数的钛酸钡二类(Class II介质,并限制了1210以上尺寸、200V以上耐压的陶瓷电容器的容值范围)。
如图3所示,断裂通常沿着一层或两层介质层贯穿整个电容的中部。大多数的解决方案是将多个电容器通过添加引脚进行叠加,从而在给定尺寸下提高容值,但这需要消耗大量人力,花费较多成本,并会产生可靠性问题。另外的解决方案使用特殊电介质配方,但同时以牺牲介电常数作为代价,并影响最终可获得的容值大小。
X7R多层陶瓷电容在直流偏压下的形变
解决方案
StackiCapTM是一种应对压电失效限制的独石电容解决方案。其应用的专利技术GB Pat./EP2013/061918创新性地在电容器内部加入了一层压力缓冲层,使得该电容器既可展现出多个叠加电容的性能,同时在制造和加工流程上又具备单个电容器的优点。
上一篇:盘点关于开关电源设计的经典问答题
下一篇:详解开关电源变压器的漏感
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |