1. 在射频电路中串100pF相当于直连，这是为何？

依照下述容抗公式

频率为0 就是开路所以只要串电容不管电容值为何就是可以挡DC

再来由上述公式也知电容值越大其容抗越小亦即Loss 越小

同时也得知电容值越大对RF 讯号而言会越接近0 奥姆电阻

而0 奥姆理论上对于RF 阻抗是不会有任何改变

所以得到一个结论

理论上串一个大电容不但可以当DC Block 同时也不会影响RF 的阻抗

2.为什么都是pF 级别的呢，按理说nF 级别的电容容抗更小啊，为什么不用呢？

RF 走线跟电容的接合处是一个阻抗不连续面如下图:

一般而言电容值越大其Size 也会越大其接合处阻抗偏移程度也会越严重

这就失去了上述『同时也不会影响RF 的阻抗』的作用

换言之你串一个大Size 的电容尽管其电容值很大容抗很小

但很可能其阻抗偏移造成的Loss 还更大

既然100 pF 就能做到的事何必硬要用个3.9 nF 来徒增麻烦???

看Loss 不是只看Insertion Loss 还要考虑Mismatch Loss

3. 那假设同样都是0402 的尺寸好了为啥只能用pF 等级?

0402 尺寸的电容中所有材质都可到达nF 等级有些甚至可到达uF 等级

4.但这些材质中只有C0G(或叫NP0)材质的电容其稳定度是最高的

时间稳定度:

温度稳定度:

5.频率稳定度:

6.换言之只有C0G(NP0)材质的电容其电容值不随时间,温度, 频率而有所偏差

因此在RF 应用中只有C0G(NP0)材质的电容为首选其他都不是好选择

而C0G(NP0)材质的电容值最大也只到1nF

所以多半只能用pF 等级

7.假设同样都是0402 的尺寸同样都是C0G(NP0)材质

最大也还有1nF 为啥只能用pF 等级?

先来比较IL (Insertion Loss) 假设RF 频率为LTE Band 7 的2700 MHz 好了

1nF 的IL 为0.036 dB

8. 8pF 的IL 为0.0385 dB

IL 方面确实8pF 比较大因为电容值越小其ESR 越大当然IL 就越大

所以1nF 跟8pF 之所以IL 有差主要是来自于ESR 的差异

但话说回来一个0.036 dB 一个0.0385 dB

其实也没啥太大差别不需要计较到0.0025 dB