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Diodes 公司提供超级势垒整流器优化固态MR16 LED改造灯

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:117

标签:

摘要: Diodes 公司推出SBRT3M40P1沟槽超势垒整流器(SBR?)产品,经优化使用小外形尺寸提供低正向电压降,同时保持低反向漏电流,以满足集中于12V AC LED改造灯的固态照明(SSL)应用中的输入桥整流器要求,针对受欢迎的MR16卤素灯提供更高效且使用寿命更长的替代产品。 这款额定电压为40V的沟槽SBR器件能够在+125°C温度下运作,在12V阻隔电压下具有仅为1.2mA的低反向漏电流

Diodes 公司推出SBRT3M40P1沟槽超势垒整流器(SBR?)产品,经优化使用小外形尺寸提供低正向电压降,同时保持低反向漏电流,以满足集中于12V AC LED改造灯的固态照明(SSL)应用中的输入桥整流器要求,针对受欢迎的MR16卤素灯提供更高效且使用寿命更长的替代产品。
这款额定电压为40V的沟槽SBR器件能够在+125°C温度下运作,在12V阻隔电压下具有仅为1.2mA的低反向漏电流,在MR16改造灯的高温度环境下提供热失控免疫能力。而且,这款器件最大限度地提高1A桥式整流器的效率和功率密度,在6.75mm2的紧凑PowerDI?123占位面积下具有仅为0.29V的正向电压降。为了最大限度地减小正向损耗,SBRT3U40P1器件是在反向漏电流增加至4mA的代价下具有0.25V的较低正向电压降的替代产品,并提供不同的正向损耗和反向泄漏电流选项,从而能够根据波形的占空比要求和运作温度来优化整流电路。40V阻隔电压能力通常可为12V AC输入电源提供充足的余裕,然而,如果线路调节不良,具有60V阻隔电压能力的SBRT3M60P1和SBRT3U60P1器件分别以0.34V和 0.28V的稍高正向电压降为代价,以提供额外的余裕。虽然提供传统的SMA封装选项,PowerDI123封装具有更小的占位面积(从16mm2减小为6.75mm2)和更低的侧高(从2mm 减小为<1mm),为空间至关重要的应用如MR16灯泡市场改造目标。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67