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摘要: LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极,LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下,负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离LTC4366,并允许其随电源向上浮动;因此,输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和MOSFET的额定规格。一个可调的过压定时器能在浪涌期间避免损坏MOSFET,而一个
LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极,LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下,负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离LTC4366,并允许其随电源向上浮动;因此,输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和MOSFET的额定规格。
一个可调的过压定时器能在浪涌期间避免损坏MOSFET,而一个附加的9s定时器则为MOSFET提供了冷却周期。停机引脚负责在停机期间将静态电流减小至14A以下。在一个故障发生之后,LTC4366-1将锁断,而LTC4366-2则将执行自动重试操作。
电阻器额定功率
必须考虑图1中RSS电阻器的正确额定值。在过压期间,OUT引脚处于调节电压(VREG),因此RSS两端的电压为VREG–5.7V。一个小的最小电源电压要求RSS的阻值不能太大。于是,如果最小电源电压与调节电压之间的差异很大,则RSS可能需要使用一个大功率电阻器。在过压冷却周期中,(全电源电压–12V)会出现在RIN的两端。通常,RIN的阻值比RSS的阻值大几倍,因而降低了针对该电阻器的功率和尺寸要求。
外部PNP
在某些场合中,功率电阻器RSS的体积可能很庞大。可以用大阻值(具较低功率和尺寸)的RSS与一个PNP配合起来使用,如图4所示。除了由BASE引脚供应的0.8A电流之外,来自PNP的基极电流也必须流过RSS,这将限制最大RSS值。在有些场合,最小PNPβ低至35。当VSS电流为350A时,基极电流变为10A。可见,与未采用PNP的应用电路相比,这将允许使用一个大35(β)倍的RSS。
最后一个VIN(MIN)公式设定了RSS的最大值。在选择RSS之后,RIN的最大值(针对该特定的RSS)利用第一个
VIN(MIN)公式来计算:
这两个公式实现了RSS和RIN阻值的最大化(因而减少了功耗),同时仍然提供了接通充电泵所必需的VC1电压。把电源电压增加至超过最小电源电压将增加RSS中的电流和功率,并缩短C1充电所需的时间。至于那些有可能需要一个更小RSS(MAX)的情形,将在“最大电源电压启动”部分进行讨论。
最大电源电压起动
在启动期间,还有可能存在最大过压电源。过压保护电路必须在高电压被传送至负载之前唤醒。GATE引脚电压在C1充电的过程中动态地斜坡上升。电容器C1必须充电至2.55VUVLO1门限,以在OUT引脚电压超过过压调节点VREG之前接通调节放大器和基准。此类情况有可能把RSS的阻值减小至上述"
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |