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摘要: 2012 年 4 月 23 日,北京讯日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。该 UCC27511 与 UCC27517 驱动器是 TI 最新 UCC2751x 系列的新成员,可有效取代使用双极型晶体管
2012 年 4 月 23 日,北京讯
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。
该 UCC27511 与 UCC27517 驱动器是 TI 最新 UCC2751x 系列的新成员,可有效取代使用双极型晶体管的分立式栅极驱动电路,显著提高离线隔离式电源、电信模块、空调系统、UPS 以及便携式电动工具等应用的效率、可靠性以及电源密度。样片与 PSpice 瞬态模型,敬请访问:www、ti、com、cn/product/cn/ucc27511、
UCC27511 与 UCC27517 的重要技术特性:
?高电流驱动性能提高可靠性:UCC27511 支持高达 4 A 源极/8 A 汲极的驱动电流性能,而 UCC27517 则支持 4 A 源极/汲极峰值电流脉冲;
?最快的开关速度:这两款驱动器都支持 13 纳秒 (ns) 快速典型传播延迟以及 9 ns/7 ns 升降时间,可实现极低的脉冲失真;
?最小的开关损耗:0.375 欧姆(UCC27517 为 0.5 欧姆)下拉电阻不但可在电源开关转换通过 Miller Plateau 时最大限度减少开关损耗,而且还可在 Miller 接通时提高抗扰度;
?高度的设计灵活性:支持 4.5 V 至 18 V 宽泛工作电压,并可在 -40C 至 140C 温度下确保电气参数。独立于 VDD 的最大输入电压可简化偏置电源架构。
供货情况
采用 6 引脚 SOT-23 封装的 UCC27511 与采用 5 引脚 SOT-23 封装的 UCC27517 都已开始供货。TI 计划将于今年第 2 季度推出采用 3 毫米 x 3 毫米、6 引脚 WSON 封装并具有不同 CMOS 输入阈值的其它单通道栅极驱动器。
查阅有关 TI MOSFET 栅极驱动器及电源控制器产品系列的更多详情:
?最新 UCC27xxx 驱动器可对 UCC28250、UCC28950、LM5045、LM5046 以及 LM5035 等 TI 领先 PWM 控制器形成有力互补;
?查看其它 GaN FET 驱动器产品:100 V LM5113 与 LM5114;
?下载最新 Power Stage Designer? 开关模式电源拓扑工具;
?通过 TI在线技术支持社区咨询问题,并帮助解决技术难题:www、deyisupport、com、
商标
所有注册商标与其它商标均归其各自所有者所有。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |