据日经BP社报道，英特尔在东京召开的纳米技术国际学会“4TH International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation（INC4）”的“More than Moore”会议上，英特尔院士技术与制造部分析与微系统技术总监Valluri R Rao发表了题为“New paradigms of scaling for MEMSapplication”的演讲。

一直在INTEL公司从事MEMS领域研究的Rao，此次的演讲内容与MEMS的微细化有关。但他没有明确介绍英特尔在MEMS等方面的方针。不仅是英特尔，只要是着手LSI的厂商，将MEMS纳入业务战略都是大势所趋。在LSI领域，既然微细化一直被看作是经济性和技术性发展的动力，则LSI厂商研究“MEMS微细化”可谓理所应当。MEMS可以采用与LSI相同的制造工艺，通过批量处理，提高单位成本性能。但是，对于需处理力和光等物理量的MEMS而言，一般来说，微细化是不利的，或者说在某些用途并不必要，因此，主张微细化研究的意见并不多。

英特尔举例介绍

了MEMS元件微细化的限制因素。还介绍了基于MEMS的机械开关（RF MEMS等）、光开关（光纤通信的路径切换元件等）。由于所有元件都具有机械结构，因此，随着物理距离的接近，分子力将发生作用。而且电磁噪声也将产生影响。这些会成为微细化的限制因素。在光开关中，波长也会限制微细化。如上所述，微细化的限制因素是随着MEMS元件涉及的领域（电子、热、光等）而变化的。

Rao还展示了利用普通悬臂梁的MEMS结构开关，就制造工艺在元件级别对微细化的限制进行了说明。在梁的成膜工序中，随着应力的产生，梁会出现翘曲。其原因在于工序中先行贴附的下层膜被加热的时间更长，使膜的上层和下层特性产生了变化。Rao就悬臂梁长度，介绍了上述制造工艺特性对微细化产生的影响。例如梁越短，翘曲越小。