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BJT的主要参数 -解决方案-华强电子网

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:201

标签:

摘要: 1. 电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数 =IC / IB | vCE=const(a )在输出特性曲线上决定 (b)值与IC的关系(2) 共发射极交流电流放大系数b b =DIC/DIB½vCE=const(3) 共基极直流电流放大系数 =IC/ IE ½ VCB=const(4) 共基极交流电流放大系数a a=DIC/DIE½ VCB=co

1. 电流放大系数

(1)共发射极直流电流放大系数

=IC / IB | vCE=const

(a )在输出特性曲线上决定 (b)值与IC的关系

(2) 共发射极交流电流放大系数b

b =DIC/DIB½vCE=const

(3) 共基极直流电流放大系数

=IC/ IE ½ VCB=const

(4) 共基极交流电流放大系数a

a=DIC/DIE½ VCB=const

ICBOICEO很小时,ab,可以不加区分。

2. 极间反向电流

(1) 集电极-基极反向饱和电流ICBO

发射极开路时,集电结的反向饱和电流。

(2) 集电极-发射极反向饱和电流ICEO

ICEO=(1+ICBO

3. 极限参数

(1) 集电极最大允许电流ICM

当集电极电流增加时,b 就要下降,当b 值下降到规定允许值时所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。可见,当ICICM时,并不表示三极管会损坏。使用时,必须使IC<ICM

(2) 集电极最大允许功率损耗PCM

PCM= iC vCE

是指集电结上允许损耗功率的最大值。使用时,必须使vCEiC<PCM

(3) 反向击穿电压

V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压。

V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反向击穿电压。

V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。

几个击穿电压有如下关系:

V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR) EBO

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67