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射极偏置电路工作点稳定的原理及条件 -解决方案-华强电子网

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:154

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摘要: I1=(10~20)IB (锗管) VB=(3~5)V (硅管) VB=(1~3)V (锗管) I1=(5~10)IB (硅管)I1=(10~20)IB (锗管)VB=(3~5)V (硅管)VB=(1~3)V (锗管)

I1=(10~20)IB (锗管)

VB=(3~5)V (硅管)

VB=(1~3)V (锗管)

I1=(5~10)IB (硅管)

I1=(10~20)IB (锗管)

VB=(3~5)V (硅管)

VB=(1~3)V (锗管)

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67