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摘要: 晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。在这种偏置条件下,发射区的多数载流子扩散到基区后,只有极少部分在基区被复合,绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压,可以达到控制集电极电流的目的。晶体管的电流分配关系如下:其中电流放大系数和之间的关系是=/(1+),=/(1-);ICBO 是集电结反向饱和电流,ICEO是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流,
晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。在这种偏置条件下,发射区的多数载流子扩散到基区后,只有极少部分在基区被复合,绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压,可以达到控制集电极电流的目的。
晶体管的电流分配关系如下:



其中电流放大系数
和
之间的关系是
=
/(1+
),
=
/(1-
);ICBO 是集电结反向饱和电流,ICEO是基极开路时集电极和发射极之间的穿透电流,并且ICEO=(1+
)ICBO。
在放大电路中,通过改变UBE,改变IB或IE,由ΔIB或ΔIE产生ΔIC,再通过集电极电阻RC,把电流的控制作用转化为电压的控制作用,产生ΔUO=ΔICRC。实质上,这种控制作用就是放大作用。
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |