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摘要: N沟道增强型绝缘栅型场效应管是以一块杂质浓度较低的P型半导体作衬底,在它上面扩散两个高浓度的N型区,各自引出一个为源极S和漏极D,在漏极和源极之间有一层绝缘层(<?xml:namespace prefix = m ns = "http://www、w3、org/1998/Math/MathML" /> Si O 2 ),在绝缘层上覆盖有铝做为栅极G,其结构和符号如图1所示。如图2所示,当 U
N沟道增强型绝缘栅型场效应管是以一块杂质浓度较低的P型半导体作衬底,在它上面扩散两个高浓度的N型区,各自引出一个为源极S和漏极D,在漏极和源极之间有一层绝缘层(<?xml:namespace prefix = m ns = "http://www、w3、org/1998/Math/MathML" />
如图2所示,当
可见增强型绝缘栅场效应管的漏极电流
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |