E D 后,则在N型沟道中产生从漏极流向源极的电流 I D 。由PN结的特性可知,若在栅极G和源极S间加上负电压 E G ,PN结的宽度增加,且负电压越大,PN结就越宽,造成">
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摘要: 我们以N沟道结型场效应管为例来说明。如图所示。当在漏极D和源极S之间加上电源<?xml:namespace prefix = m ns = "http://www、w3、org/1998/Math/MathML" /> E D 后,则在N型沟道中产生从漏极流向源极的电流 I D 。由PN结的特性可知,若在栅极G和源极S间加上负电压 E G ,PN结的宽度增加,且负电压越大,PN结就越宽,造成
我们以N沟道结型场效应管为例来说明。如图所示。当在漏极D和源极S之间加上电源<?xml:namespace prefix = m ns = "http://www、w3、org/1998/Math/MathML" />
当
通常结型场效应管的栅、源极之间总是处于反向偏置状态,因此其输入电阻很高,可达
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |