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摘要: (1)NMOS反相器设电源电压VDD = 10V,开启电压VT1 = VT2 = 2V1、A输入高电平VIH = 8V T1、T2均导通,输出为低电平VOL ≈0.3V2、A输入低电平V IL = 0.3V时, T1截止T2导通,电路输出高电平VOH = VDD - VT2 = 8V。 故 电路执行逻辑非功能 (2)NMOS门电路工作原理1、当两个输入端A和B均为高电平时 T1和T2都导通,
(1)NMOS反相器
设电源电压VDD = 10V,开启电压VT1 = VT2 = 2V
1、A输入高电平VIH = 8V
T1、T2均导通,输出为低电平VOL ≈0.3V
2、A输入低电平V IL = 0.3V时,
T1截止T2导通,电路输出高电平VOH = VDD - VT2 = 8V。
故 电路执行逻辑非功能
(2)NMOS门电路
工作原理
1、当两个输入端A和B均为高电平时
T1和T2都导通,输出低电平
2、当输出端有一个为低电平时,
与低电平相连的驱动管就截止,输出高电平
电路 “与非”逻辑功能:
注: 增加扇入,只增加串联驱动管的个数,但扇入不宜过多,一般不超过 3
(3)CMOS门电路
CMOS反相器
工作原理
1、输入为低电平VIL = 0V时
VGS1<VT1 —T1管截止;
|VGS2| >VT2 —T2导通;
电路中电流近似为零(忽略T1的截止漏电流),VDD主要降落在T1上,输出为高电平VOH≈VDD
2、输入为高电平VIH = VDD时,T1通T2止,VDD主要降在T2上,输出为低电平VOL≈0V
实现逻辑“非”功能
CMOS传输门(TG门)
工作原理
当C = VDD, C= 0V时,
VI由0~(VDD-VT)范围变化时TN导通
VI在VT~VDD范围变化时TP导通
即VI在0~VDD范围变化时,TN、TP中至少有一只管子导通,使VO=VI,这相当于开关接通,这种状态称为传输门传输信息
1、当C 为低电平时, TN、TP截止传输门相当于开关断开,传输门保存信息
2、当C为高电平时, TN、TP中至少有一只管子导通,使VO=VI,这相当于开关接通,传输门传输信息
由此可见传输门相当 于一个理想的开关,且是一个双向开关
CMOS门电路
1、与非门
二输入“与非”门电路结构如图
当A和B为高电平时: 输出低电平
当A和B有一个或一个以上为低电平时: 电路输出高电平
所以电路实现“与非”逻辑功能
2、“异或”门
输入端A和B相同
当A = B = 0时
TG断开,则C=B=1,F=C=0。
当A = B = 1时,
TG接通,C = B = 1,反相器2的两只MOS管都截止,输出F=0。
得:输入端A和B相同, 输出 F=0
输入端A和B不同
当A = 1,B = 0时,输出F=1
当A = 0,B = 1时,输出F=1
得:输入端A和B不同,输出 F=1
由此可知:该电路实现的是“异或”的逻辑功能
(4) CMOS电路的特点
1、功耗小:CMOS门工作时,总是一管导通另一管截止,因而几乎不由电源吸取电流其功耗极小
2、CMOS集成电路功耗低内部发热量小,集成度可大大提高
3、抗幅射能力强,MOS管是多数载流子工作,射线辐 射对多数载流子浓度影响不大
4、电压范围宽:CMOS门电路输出高电平VOH ≈ VDD,低电平VOL ≈ 0V。
5、输出驱动电流比较大:扇出能力较大,一般可以大于50
6、在使用和存放时应注意静电屏蔽,焊接时电烙铁应接地良好
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |