让找料更便捷
电子元器件
采购信息平台
生意随身带
随时随地找货
一站式电子元器件
采购平台
半导体行业观察第一站
标签:
摘要: 图4由于IGBT在发生短路后是不允许过快地关断,因为此时短路电流已相当大,如果立即过快关断会造成很大的di/dt,这在线路分布电感的作用下会在IGBT上产生过高的冲击电压,极易损坏元件。所以在发生短路后,首先应通过减小栅极正偏置电压,使短路电流得以抑制,接着再关断IGBT,这就是所谓“慢关断技术”,这一功能在某些公司生产的模块中已有应用。
图4
由于IGBT在发生短路后是不允许过快地关断,因为此时短路电流已相当大,如果立即过快关断会造成很大的di/dt,这在线路分布电感的作用下会在IGBT上产生过高的冲击电压,极易损坏元件。所以在发生短路后,首先应通过减小栅极正偏置电压,使短路电流得以抑制,接着再关断IGBT,这就是所谓“慢关断技术”,这一功能在某些公司生产的模块中已有应用。
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |