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功率MOSFET的开关特性 -解决方案-华强电子网

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:144

标签:

摘要: 当脉冲电压下降到零时,栅极输入电容Ci通过信号源内阻RS和栅极电阻RG开始放电,栅极电压UGS按指数曲线下降,当下降到UGSP时,漏极电流才开始减小,这段时间称为关断延迟时间ts。之后,Ci 继续放电,从iD减小,到UGS<UT沟道关断,iD下降到零。这段时间称为下降时间tf。关断时间toff可表示为 toff=ts+tf 由上分析可知,改变信号源内阻RS,可改变Ci 充、放电时间常数,影响开关速

当脉冲电压下降到零时,栅极输入电容Ci通过信号源内阻RS和栅极电阻RG开始放电,栅极电压UGS按指数曲线下降,当下降到UGSP时,漏极电流才开始减小,这段时间称为关断延迟时间ts。之后,Ci 继续放电,从iD减小,到UGS<UT沟道关断,iD下降到零。这段时间称为下降时间tf。关断时间toff可表示为
toff=ts+tf
由上分析可知,改变信号源内阻RS,可改变Ci 充、放电时间常数,影响开关速度。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67