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摘要: 一、常用的静态RAM芯片 目前,常用的SRAM芯片有6116()、6264(8K×8)、62128(16K×8)、62256(32K×8)等。 1.6116 6116芯片为24引脚双列直插封装,容量为2K×8位。如图1。其管脚图见3(a)。其中A0~A10为地址线,为写选通信号,D0~D7为数据线,Vcc表示电源(十5V),是片选信号,低电平有效,GND接地,为数据输出允许信号。 图1 6116芯
一、常用的静态RAM芯片
目前,常用的SRAM芯片有6116()、6264(8K×8)、62128(16K×8)、62256(32K×8)等。
1.6116
6116芯片为24引脚双列直插封装,容量为2K×8位。如图1。其管脚图见3(a)。其中A0~A10为地址线,为写选通信号,D0~D7为数据线,Vcc表示电源(十5V),
是片选信号,低电平有效,GND接地,
为数据输出允许信号。
2.6264
6264是8K×8位的静态RAM,它采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗200mW,典型读取时间200ns,封装形式为DIP28,其管脚图如图2(b)所示。其中A0~A12为地址输入线,D0~D7为三态双向数据线,是片选信号输入线,低电平有效,
是读选通信号输入线,低电平有效,
是写选通信号输入线,低电平有效。
扩展数据存储器和扩展程序存储器的方法类似,由P2口提供高8位地址,P0口分时提供低8位地址和8位数据总线。访问片外数据存储器的指令有:
MOVX A,@Ri
MOVX A,@DPTR
MOVX @Ri,A
MOVX @DPTR,A
例分析下面电路图中2块6264芯片的基本地址范围。
解:此电路图是由2块6264芯片,在片外扩展16K个单元数据存储器的扩展电路。接P1.7引脚来进行片选。6264(1)和6264(2)的编址都是8KB,基本地址范围都自0000H到1FFFH(假设未用地址线取0),因为它们所接的地址完全相同。
2764A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1A0
最高地址 XX X 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 000
最低地址 XX X 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 111
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |