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BD439S

浏览次数:194次

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BD439S中文资料规格参数

BD439S概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):800mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大):100µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 500mA, 1V
功率 - 最大:36W
频率 - 转换:3MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-126-3
包装:散装
供应商设备封装:*

BD439S数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 2000/BULK
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
30000
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-126F
20001
ONSEMI/安森美
23+
TO-126
库存现货
109591
FAIRCHILD/仙童
2011+
原装进口可假一赔十
2000
FAIRCHILD/仙童
23+
只做进口原厂原装正品假一罚十
86666
ONSEMI/安森美
24+
TO126
■现货大量发货■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
深圳

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