BSP52T1G概述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: SOT-223-4
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 90 V
峰值直流集电极电流: 1 A
功率耗散: 0.8 W
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 65 C
封装: Reel
集电极连续电流: 1 A
直流电流增益 hFE 最小值: 1000 @ 150m A @ 10 V or 2000 @ 500m A @ 10 V