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FDG6303N_Q

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FDG6303N_Q中文资料规格参数

FDG6303N_Q概述

制造商:FairchildSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:否
配置:Dual
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.45Ohms
正向跨导gFS(最大值/最小值):1.45S
汲极/源极击穿电压:25V
闸/源击穿电压:8V
漏极连续电流:0.5A
功率耗散:0.3W
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SC-70-6
封装:Reel
最小工作温度:-55C

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