制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
类型: High and Low Side
上升时间: 8 ns (Typ)
下降时间: 7 ns (Typ)
传播延迟时间: 20 ns (Typ)
电源电压（最大值）: 17 V
电源电压（最小值）: 8 V
电源电流: 5.5 mA
最大功率耗散: 1300 mW
最大工作温度: + 140 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: SOIC-8
封装: Tube
桥式: Full Bridge or Half Bridge
最大关闭延迟时间: 1 ns (Typ)
最大开启延迟时间: 1 ns (Typ)
安装风格: SMD/SMT
激励器数量: 2
输出端数量: 2
输出电流: 3 A (Typ)