工程师要想保证设计可靠，必须要在NMOS栅极和PMOS栅极添加上拉电阻，同时系统也要安全防护。但是如果忽略电阻开路的问题，就会使原本作为保护者的上拉电阻变成MOS管过热的杀手。

　　下图是一张在设计应用中比较常见的图纸，分别针对PMOS和NMOS栅极设置进行了区分。就让我们来看一下，在MOS图纸设计中应该怎么避免上拉电阻成为MOS管过热的杀手吧。

　　大家都知道上拉电阻在电路工作稳定性方面，具有出色的工作效果。像上图中电路图的情况，上拉电阻的位置还是接在内侧比较好。这样的设计可以使上拉电阻起到放电作用，可防止在驱动电阻开路时MOS栅极浮接，这也就是为什么上拉电阻有时候又被叫做放电电阻。而同样是这张电路图，如果上拉电阻的位置被安排在外侧，那么只要两个电阻中的一个开路，那么NMOS就容易遭到损坏，对整体的电路稳定性和安全性也会造成比较大的威胁。

　　可能看到这里，有的朋友会感到疑惑：上拉电阻能够对电路的整体稳定性起到保障作用，放在外侧跟放在内侧都是起整体稳定效果的，为什么放外侧时反而MOS管容易遭到损坏呢?其实原因很简单，MOS管G极在悬空时是很容易受到干扰的。此时如果将上拉电阻放在外侧然后导通，就很可能会产生极大的电流，MOS管在高电流下很容易因过流过热而受到损坏。