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中芯国际宣布28nm HKMG工艺:联芯打造手机SoC _手机资讯

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:317

标签:

摘要: 中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际/SMIC)今天宣布,28nm HKMG(高介电常数金属闸极)工艺已经成功流片。中芯国际是中国大陆第一家能够同时提供28nm PolySiON(多晶硅)、28nm HKMG工艺的晶圆代工企业。与传统的PolySiON工艺相比,HKMG技术可有效改善驱动能力,进而提升晶体管的性能,同时大幅降低栅极漏电量。联芯科技将基于中芯国际28nm HKMG工艺打造新的智能手

中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际/SMIC)今天宣布,28nm HKMG(高介电常数金属闸极)工艺已经成功流片。

中芯国际是中国大陆第一家能够同时提供28nm PolySiON(多晶硅)、28nm HKMG工艺的晶圆代工企业。与传统的PolySiON工艺相比,HKMG技术可有效改善驱动能力,进而提升晶体管的性能,同时大幅降低栅极漏电量。

联芯科技将基于中芯国际28nm HKMG工艺打造新的智能手机SoC芯片,包括移动处理器和基带,CPU主频达1.6GHz,目前已通过验证,准备进入量产阶段。

此外,中芯国际还将持续进行28nm技术平台的开发及改善,预计2016年底推出基于HKMG工艺的紧凑加强型版本。

中芯国际宣布28nm HKMG工艺:联芯打造手机SoC

中芯与联芯在一起

中芯国际宣布28nm HKMG工艺:联芯打造手机SoC

中芯国际40LL、28PS、28HKMG工艺对比

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67