日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为满足下一代笔记本电脑、超便携笔记本和桌面PC对大电流、高效率和高功率密度的性能需求，推出5款新的VRPower集成式DrMOS功率级解决方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632，可用于多相POL稳压器。Vishay Siliconix 的这五款器件在热增强的4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装内，组合了功率MOSFET、先进的MOSFET栅极驱动IC和自举肖特基二极管，占位面积比使用分立器件的方案小45%。器件的高功率密度使其非常适合使用Intel的Skylake平台的计算平台。器件还适用于工业PC和用在网络和工业应用中的大电流多相模块。

现在的移动计算和桌面计算平台需要比前一代产品更大的电流，同时要求面积和尺寸要比以往更小。今天推出的4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP55-31L封装的集成器件可输出最高30A的连续电流，5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装的器件可输出40A连续电流。除了能输出大电流和节省占位面积，这些功率级还减小了封装寄生参数，使开关频率最高能达到2MHz，从而减小输出滤波器的尺寸，进一步缩小了整个方案的尺寸和高度。为提高性能，器件的高边和低边MOSFET使用Vishay目前最好的Gen IV TrenchFET技术，来减少开关和传导损耗。功率级的驱动IC兼容众多PWM控制器，支持5V的三态PWM逻辑电平。

SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632适用于同步降压转换器、DC/DC电压稳压模块、CPU和GPU的多相VRD，以及存储器。为在这些应用里提高轻负载效率，器件的驱动IC带有二极管调制模式电路和零电流检测电路。自适应死区时间控制有助于在所有负载点下进一步提高效率。为支持IMVP8的PS4模式轻负载要求，当系统在待机模式下运转时，功率级会把电流降到5μA，而且可以在5μs内从这种状态中唤醒。器件符合RoHS，无卤素，具有欠压锁定 (UVLO)等保护功能。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6颗新的汽车级高速硅PIN光电二极管---VEMD1060X01、VEMD5060X01和VEMD6060X01，以及VEMD1160X01、VEMD5160X01和VEMD6160X01，扩大了Vishay的光电子产品组合。这些器件光电二极管具有出色的光响应线性度，可用于小信号探测。Vishay Semiconductors VEMDxx60X01系列有3种超薄、表面贴装封装，响应速度快，感光面积为0.23mm2、0.85mm2和7.5mm2，反向光电流高达38 μA，适用于汽车和工业应用。

今天推出的光电二极管通过AEC-Q101认证，在最低的信号水平下也具有优异的线性度，而不会受到环境光噪声的破坏。通过比较有强背景照明(100mW/cm2)和没有强背景照明情况下小红外信号(1mW/cm2)产生的光电流的相对差，得出反向光电流线性度的变化小于1%。优异的线性度使设计一个鲁棒和可靠的反射式传感器变得相当容易，传感器可以用在非接触式水龙头、光开关、接近传感器或汽车雨量传感器当中。

VEMD1060X01、VEMD5060X01和VEMD6060X01是透明的，感光灵敏度从380nm到1070nm，可用于探测可见光和近红外辐射。VEMD1160X01、VEMD5160X01和VEMD6160X01是黑色的，带有日光阻挡滤光片，可用于700nm～1070nm的红外应用。

VEMDxx60X01系列有多种封装，包括2mm x 1.25mm x 0.85mm顶视0805封装，5mm x 4mm x 0.9mm顶视QFN封装，4mm x 2mm x 1.05mm的1206封装。器件的半强角为±65°和±70°，温度范围为-40℃～+110℃，峰值灵敏度波长为820nm或840nm。PIN光电二极管符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，潮湿敏感度等级(MSL)达到3级，符合J-STD-020，打开包装后可存放168小时。