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赫联电子备货TE Connectivity USB Type-C插座

来源:电子之家 作者:华仔 浏览:280

标签:

摘要: 赫联电子(Heilind Electronics)即日起开始供应TE Connectivity (TE)的新产品——C型USB连接器插座(USB Type-C插座),此款插座外壳加强了EMI(电磁干扰)屏蔽性能,有助于消除不必要的EMI泄露,与同类型传统产品相比,USB Type-C插座为用户提供更优的性能。此外,相较于行业标准封装,US

赫联电子(Heilind Electronics)即日起开始供应TE Connectivity (TE)的新产品——C型USB连接器插座(USB Type-C插座),此款插座外壳加强了EMI(电磁干扰)屏蔽性能,有助于消除不必要的EMI泄露,与同类型传统产品相比,USB Type-C插座为用户提供更优的性能。此外,相较于行业标准封装,USB Type-C插座能够为连接器板提供更强的保持力,从而可提升其可靠性与强固性。

赫联电子分销的TE USB Type-C插座提供了使用单一连接传输高达10Gbps数据,最大100W功率和音频/视频输入的解决方案。这款插座的特点是通过可逆接的插接口来接受任何方向的插头,从而实现简便可靠的接插。TE USB Type-C插座支持各种协议,且可通过使用配适器,以单一USB Type-C端口后向兼容HDMI, VGA, DisplayPort和其它连接类型。

TE USB Type-C插座支持采用USB2.0 (480 mbps), USB3.1 第一代 (5 Gbps) 和 USB3.1第二代(10 Gbps)的高速数据传输,同时增加了和电路板的保持特性以加强耐久性。

自成立至今,赫联电子已成为业内杰出的互连器件分销商,在北美拥有最大的连接器产品库存。公司的基础理念为充足库存、灵活的政策、高响应性系统、经验丰富的技术支持和卓越的客户服务。

赫联电子始终保持这些产品线最广泛和最深入的库存。此外,赫联电子目前也已经开始支持人民币交易,未来两三年内,赫联电子会在亚太区持续增加办事处和仓库的数量,并且寻求更完备的授权产品线以更好跟进客户需求。

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司(蓝碧石半导体)面向需要高频日志数据采集和紧急时的高速数据备份的智能仪表、医疗保健设备、汽车导航系统等,开发出搭载串行总线的64Kbit铁电存储器注1(以下称“FeRAM”)“MR44V064B / MR45V064B”。


作为下一代非易失性存储器而备受期待的FeRAM,与已普及的一般非易失性存储器相比,具有“高速数据擦写”、“高擦写耐久性”、“低功耗”的特点,因此,是一种有助于实现应用的节电化和高性能化的器件。


新产品不仅实现了业界顶级的1.8V最低工作电压,而且2节镍氢充电电池也可使用FeRAM。2节AAA充电电池可实现约11年的擦写寿命(每秒擦写64Kbit时)等优势,非常有助于应用实现更长时间的驱动,还可扩大应用到便携设备和IoT领域。另外,支持的最大工作频率高达40MHz(SPI总线),仅1.64msec即可完成64Kbit的数据擦写,因此,即使系统发生异常也可进行超高速备份,从而保证数据的高可靠性。不仅如此,还具备两种不同的串行总线(I2C总线、SPI总线),可灵活应对客户的系统规格。


本产品已从2016年1月起开始量产销售(样品价格 500日元/个,不含税)。前期工序的生产基地为ROHM总部工厂(京都市),后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)。


今后,蓝碧石半导体还会继续开发省电且高性能的产品,不断完善能够满足客户需求的、具备各种容量和接口等的产品阵容。

<背景>
近年来,随着节能化的发展趋势,不仅车载、工业设备,几乎在所有应用中均要求实现整个系统的低电压化。同时,随着高性能化发展,数据量日益增加,还要求更高速地将信息读取/写入到存储器。


蓝碧石半导体利用ROHM的铁电存储器制造技术和蓝碧石半导体的存储器设计技术双重优势,从2011年开始 逐步扩充FeRAM系列产品。


<特点>
1.最低工作电压1.8V,可实现电池的长时间驱动
利用ROHM的低功耗铁电工艺技术优势,以及确保低电压下选择存储器数据的晶体管栅极电位,实现了业界顶级的1.8V最低工作电压。


由此,仅2节镍氢充电电池也可使用存储器。例如,用2节AAA充电电池按每秒每次64Kbit(原稿纸约10张)持续进行数据擦写,也可工作约11年,因此还可应用于需要长时间电池驱动的IoT领域。

2.实现业界顶级的高速工作
通过减轻存储数据的铁电电容选择时的选择器负载,实现了超高速 存取。I2C支持业界顶级工作频率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持业界顶级的高达40MHz的工作频率,从而增强了FeRAM的优势之一----高速数据擦写特点。


64Kbit的数据擦写时间仅需1.64msec,速度非常快,因此即使发生停电等意外电压下降故障,也可在断电前备份数据,因此数据丢失的风险非常低,无需配置用于应对停电的延长供电的部件。非常适用于要求高速性且高数据保存安全性的应用。

【规格概要】 
 

【销售计划】
-产品名   :MR44V064B  /  MR45V064B
-量产销售时间   :2016年1月起
-量产销售数量   :月产50万个
-样品价格   :500日元/个(不含税)

【应用领域】
工业设备、汽车配件、医疗设备、便携设备、IoT领域

【术语解说】
注1 铁电存储器
铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory)是即使断电也可保存存储数据的非易失性存储器之一,存储元件采用铁电电容,具有高速数据擦写、高擦写耐久性以及低功耗的特点。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67