提供小型化和增强的灵活性，以优化滤波、调谐、去耦或ESD保护电路

可提供额定电压高达200V的汽车级产品
 

全球领先的电子元器件供应商——基美电子（KEMET），现已推出小型0603 EIA封装尺寸（公制1608）的静电放电（ESD）额定陶瓷电容器，从而为设计人员提供了适用于需要Class-II或Class-I稳定性和抗噪声性能的电路的X7R或C0G电介质新选择。该器件提供汽车和商用级产品，并且其特殊的订购代码使客户能在不提交图纸或规格的情况下，获得满足其项目的汽车级器件。

“静电放电事件会导致电路中出现意外操作，并可能损坏元器件。由人体接触引起的ESD损害，是电路组装过程中或现场中电子设备出现故障的主要原因，并且据估计，会使组装线生产率降低高达33%。”基美电子（KEMET）陶瓷技术副总裁兼技术院士John Bultitude表示，“基美电子ESD额定多层陶瓷电容器（MLCC）增强了对设备使用寿命的保护，并且其小尺寸可简化设计，并最大限度地降低对整体外形尺寸的影响。”

X7R电容值范围从1nF到220nF（C0G从1nF到15nF），从而使设计人员能够灵活地在RF滤波、去耦、调谐或谐振电路中实现其所需频率响应。电容值较低对于在外部端口（例如USB 3.0、DisplayPort、HDMI、串行端口、音频插孔和SIM或存储卡）提供ESD保护是理想之选。此外，其还可为汽车模块（如信息娱乐设备、安全气囊控制器或无钥匙进入系统）以及工业计算机、摄像机及测试和测量设备提供ESD保护。

这类电容器具有高达25kV的抗ESD能力，并通过了AEC-Q200-002人体模型（HBM）测试。符合汽车标准的器件还符合AEC-Q200的其他所有要求。额定电压从25V至200V可选，且器件电容值容差可指定为±5%、±10%或±20%。C0G电容还具有±1%或±2%容差的规格。-55℃至125℃的工作温度范围确保在多种应用中都可提供高可靠性，可选的柔性端子则增强了暴露在极端机械应力或温度循环下的设计的鲁棒性。

样品最初可在得捷电子（Digi-Key）和贸泽电子（Mouser）获取。

近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 (FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积)，该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。

“我们承诺为客户提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术，涵盖需要高压输入到低压输出的各种最新的电子系统”，Vishay市场发展部高级总监David Grey说到，“有了SiHP065N60E和即将发布的第四代600V E系列产品，我们就可以在设计电源系统架构的初期就实现提高效率和功率密度的目标，包括功率因数校正和随后的高压DC/DC转换器砖式电源。”

SiHP065N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的最大导通电阻为0.065Ω，栅极电荷低至49nC。器件的FOM为2.8Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别只有93pf和593pF，可改善开关性能。在通信、工业和企业电源系统的功率因数校正和硬开关DC/DC转换器拓扑中，这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗。

发布的器件采用TO-220AB封装，符合RoHS，无卤素，可承受雪崩模式中的过压瞬变，而且保证限值通过了100% UIS测试。

SiHP065N60E现可提供样品，在2017年1月实现量产，供货周期为十周。