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西部数据推出14TB企业级硬盘 为云计算和大规模数据中心升级存储解决方案

来源:电子之家 作者:华仔 浏览:271

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摘要: 北京, 存储技术和解决方案领导厂商-西部数据公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布推出新一代14TB企业级硬盘,搭配主机管理的叠瓦式磁记录 (SMR) 技术,为云计算和超大规模数据中心提供了大数据应用所需的存储解决方案。

第二代SMR技术结合HelioSeal®技术 为顺序写入工作负载能力提供容量突破 存储技术和解决方案领导厂商-西部数据公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布推出新一代14TB企业级硬盘,搭配主机管理的叠瓦式磁记录 (SMR) 技术,为云计算和超大规模数据中心提供了大数据应用所需的存储解决方案。西部数据旗下HGST品牌Ultrastar® Hs14与前代相比在容量上提升了40%,顺序写入性能提高两倍以上,可更高效地获取日益增长的多样化数据。 基于对大数据时代的洞察及预测,未来随着数据的指数级增长,如何以可负担且易获取的方式存储数据,成为企业和云服务数据中心运营商持续面临的挑战。由于对总体拥有成本 (TCO) 的关注,每个机架的容量、功耗、冷却、维护和购置成本等因素都至关重要。为了应对大数据带来的挑战,Ultrastar Hs14采用双核互补技术之第四代氦气密封(HelioSeal®)技术和第二代主机管理的SMR技术以及企业级的可靠性,提供了容量上的领先和在线以watt/TB为单位的功率效率优势,从而实现了较低的总体拥有成本。这些成熟且经过实际验证的技术为云计算和超大规模环境所需的效率、质量和可靠性能提供了基础,适合运行顺序写入工作负载的超高密度横向扩展存储系统。借助SMR技术,Ultrastar Hs14 HDD的容量增加了16%[1],同时保证了高度的可预测性和可靠性能。 西部数据设备业务部高级副总裁Mark Grace表示:“在西部数据向大容量企业存储领域推出的EB存储容量中,70%以上皆采用氦气设计的大容量硬盘,并将继续满足用户对可靠性、性能和高服务质量的需求。我们的HelioSeal平台在总体拥有成本和可靠性方面的优势为我们在大容量企业级存储领域的领先地位奠定了基础。” Ultrastar Hs14 14TB企业级硬盘之产品特性及规格:HelioSeal技术:西部数据第四代氦气充填技术,使西部数据得以领先于市场,推出大容量硬盘。 主机管理的SMR技术:通过将第二代主机管理的SMR技术引入企业级存储部署环境,提供了高达14TB的容量,且不影响其性能上的可预测性和一致性。主机管理的SMR硬盘专为需要顺序写入的环境而设计,而不是单纯地替换传统大容量企业级硬盘。 可靠性:平均故障间隔时间(MTBF)高达250万个小时。 上市与定价Ultrastar Hs14企业级硬盘目前正向OEM厂商发送样品,并提供5年有限保修。 前瞻性声明本新闻稿包含与Ultrastar Hs14相关的前瞻性陈述,包括其预期到货、价格、性能和便于消费者使用的特性。这基于当前的预期,并且涉及到可能导致这些前瞻性陈述不准确的多种风险和不确定因素。可能导致这些前瞻性陈述不准确的风险包括但不局限于:我们的产品可能不会以预期的价格和在预期的时间上市;全球经济状况波动;商业环境和存储生态系统的发展;竞品产品及其价格的影响;商品材料和专业产品部件的市场接受程度和成本;竞争对手的行动;竞争性技术的突然进步;我们基于新科技和数据存储市场的发展的产品研发;与收购、兼并和合资企业有关的风险;生产制造方面的困难或延误;以及西部数据不时向美国证券交易委员会提交的文件和报告中列出的其他风险,包括但不局限于公司提交的最新季度报告,请您对此给予关注。本新闻稿包含第三方的信息,这些信息反映了在本文发表之日的期望。本新闻稿中的所有陈述仅代表本新闻稿发布之日的陈述。西部数据公司无义务在本新闻稿发布之日后由于事实或情况发生变化而更新本文信息。   器件在10V下的最大导通电阻为0.58mΩ,栅极电荷为61nC,采用小尺寸PowerPAK SO-8单片封装 日前,Vishay宣布,推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。  今天发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,SiRA20DP的典型栅极电荷更低,只有61nC,FOM为0.035Ω*nC,低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。    SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗,提高系统效率,实现更高的功率密度,特别适合冗余电源架构中的OR-ring功能。器件的FOM较低,可提高开关性能,如通信和服务器电源中DC/DC转换,电池系统中的电池切换,以及5V到12V输入电源的负载切换。  这颗MOSFET经过了100%的RG和UIS测试,符合RoHS,无卤素。  SiRA20DP现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十五周。  
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67